二是下一代功率器件，主要应用SiC新材料开发SBD(肖特基二极管)和SiC MOSFET(半导体场效应管)。三是传感器，开发应用广泛的MEMS加速度传感器等。
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碳化硅MOS场效应晶体管
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碳化硅功率器件(SiC MOSFET)门极驱动光电耦合器[已经有10条专家回复] Q: 市场上还有一种叫做氮化镓的宽带隙半导体竞争产品。
SiC-MOSFET 碳化硅场效应晶体管
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