...008年将开始使用直径为450mm的硅片,实现特征线宽0.07μm,硅片表面总厚度变化(TTV)要求小于0.2μm,硅片表面局部平整度(SFQD)要求为设计线宽的z/3,硅片表面粗糙度要求达到纳米和亚纳米级,芯片集成度达到9000万个晶体管/平方厘米等。
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