惠普在实验室里证明了忆阻器（memristor）的存在，现在两家公司计划利用忆阻器来开发电阻式内存（ReRAM），忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据，如果研制成功的话将会可能代替现有的DRAM和Flash芯...
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铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)和电阻式随机存取存储器(RERAM)是能够对存储器单元随机存取的非易失性随机存取存储器装置的种类。
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使用忆阻器制成的存储器——电阻式随机存储器（ReRAM）是非挥发性的，这意味着断电后，其仍能够保存数据。而DRAM存储器在电源切断后，其内存储的数据会丢失。
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