...0~C(2h)+750℃(6h)+1000℃(4h)热处理，用HF10％去除硅片表面的氧化层，再用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后的氧碳含量及少子寿命；最后用wright腐蚀液腐蚀硅片截面，在光学显微镜和扫描电镜下观察缺陷。
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