...SFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术，能够实现非常低的RDS(ON)、整体闸极电荷(QNsub>G)和米勒电荷(QGD)，因而获得出色的传导和开关性能及热效率。相较于传统的MOSFET封装，其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。
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