... polycide gate 多晶硅-硅化物栅 polycrystalline silicon gate 多晶硅栅极 polycrystalline silicon layer 多晶硅层 ...
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polycrystalline silicon gate mos 多晶硅栅金属氧化物半导体
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The gate electrodes (16) of the NMOS transistors (a) are formed in a layer of n-type doped polycrystalline silicon (14) without germanium.
NMOS晶体管(A)的门电极(16)在n -型掺杂的不含锗的多晶硅层(14)上形成。
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