多晶矽锗 ( poly-SiGe )的相关研究 则开始于 90 年代初期，主要是沈积于表面绝缘的基板上，如玻璃或 热氧化层(thermal oxide)，由于沈积条件不若磊晶薄...
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CMEMS技术使用多晶锗硅(poly-SiGe)作为MEMS结构材料(参考文献2)。由于其热特性兼容CMOS后端处理工艺，因此这种材料适用于CMOS。
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poly-SiGe thin films 锗硅薄膜
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The research focused on the growth of SiGe single layer, multi-layers, metal induced growth of poly-SiGe, Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated.
包括锗硅单层、多层结构的外延生长、以及金属诱导生长多晶锗硅和肖特基二极管原型器件的制备。
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