PECVD法生长氮化硅工艺的研究--《功能材料》2007年05期 取最新 PECVD法生长氮化硅工艺的研究 吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓 【摘要】： 采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比
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very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition 超高频等离子体增强化学气相沉积
This paper gives an overview of plasma enhanced chemical vapor deposition used in the solar industry.
本文针对电浆辅助化学气相沉积在太阳能产业上的应用作一概略性的介绍。
In a preferred embodiment, the codeposition is carried out by plasma enhanced chemical vapor deposition.
在较佳具体实施例中，该共沉积作用系以等离子体强化化学气相沉积法进行。
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is the primary method which is used to prepare hydrogenated silicon film.
等离子体化学气相沉积技术制备氢化硅薄膜工艺条件成熟稳定而成为薄膜制备的首选方法。
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