高压PMOSFET采用多晶场板偏置栅(offset-Gate)结构MOS管,采用不对称高压结构,仅在漏端制作漂移区。该结构高压管击穿电压为55V,阈值电压为0.92V,驱动电流为25mA,且不影响...
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offset gate fet 补偿栅场效应晶体管
offset gate mos 偏置栅mos
offset gate 补偿栅 ; 偏置栅极 ; 偏栅
Offset-gate HVMOS 偏置栅高压MOS
offset-gate mos device 偏移栅mos器件
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