... 无定形半导体 amorphous semiconductor 无辐射复合 nonradiative recombination 无负载品质因数 unloaded Q ...
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the nonradiative recombination 非辐射复合
nonradiative carrier recombination 点缺陷反应
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The blue shift of the PL peak is a result of oxidation of inner surfaces of PS and the decrease of PL efficiency is attributed to the produce of nonradiative recombination centers during oxidation.
我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移，由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。
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