...陷产生的可能性,特别是越先进的工艺导致储存单元的节距越来越近,漏电明显,甚至采用单位记忆储存单元的多位化(Multi-Bit per Cell)的结构导致的良率与可靠性的下降,或者是对其进行擦写操作时可能产生数据错误,资料写入也可能导致电性改变,
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multi-bit per cell
每单元多比特
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Intel announced a new SATA interface enterprise solid state drive (SSD) that uses 25 nm multi-level cell flash memory (this is 2 bit per cell technology referred to as MLC).
FORBES: New Technology and Investment Opportunities at the 2011 Intel Developers Forum
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