金属诱导单向晶化(MIUC);热退火修饰;周边驱动电路;板上系统(SOP)
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...向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization, MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究. MIUC薄膜.
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...体)更大的驱动电流和可扩展性,(3)自对准厚的源极/漏极区域,以减少串联电阻和漏极电场;及(4)金属诱导的单方面结晶(MIUC)聚-Si晶粒尺寸的增强 Author:
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