Amanot2习等人用MOVPE的方法对GaN进行掺Mg，对其进行阴极荧光研究，采用低能电子束照射（LEEBI），发现由电子束照射过的GaN发光效率增加了两个数量级，同时实现了P型电导。
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GaN材料P型掺杂机理及方法的研究 - docin.com豆丁网 复合体导致了Mg的钝化效应。通过高温退火（RTA， Rapid Thermal Annealing）或低能电子束照射（LEEBI，LowEnergy ElectronBeam Irradiation）等手段可使Mg—H键断开，激活受到钝化的受主Mg。 但并不是说掺杂Mg的浓度越高，可得到的载流子浓度
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通过高温退火（RTA， Rapid Thermal Annealing）或低能电子束照射（LEEBI，LowEnergy ElectronBeam Irradiation）等手段可使Mg—H键断开，激活受到钝化的受主Mg。
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