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ion implantation

  • 离子注入:一种将离子束注入固体材料中的过程,用于改变材料的物理和化学性质。

网络释义专业释义英英释义

  离子注入

离子注入

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短语

angled ion implantation 倾斜离子注入

maskless ion implantation 无掩模离子注入

masked ion implantation 掩蔽离子注入

high dosage ion implantation 高剂量离子注入

ion implantation gettering 离子注入吸除

ion implantation mask 离子注入掩膜

ion implantation annealing 离子注入后退火

low energy ion implantation 低能离子注入

low dosage ion implantation 低剂量离子注入

 更多收起网络短语
  • 离子注入 - 引用次数:148

    Also it has fabrication advantages avoiding the steps of ion implantation and annealing at high temperature.

    其制备工艺简单,避免了离子注入工艺和退火步骤。

    参考来源 - 硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究
    反铁电薄膜 - 引用次数:1

    参考来源 - 离子注入下铁电薄膜的反铁电现象及其机理研究
    离子植入法
    离子值入
  • 离子注入 - 引用次数:121

    After ion implantation, the hardness and wear resistance of copper alloys all increased.

    离子注入提高了铜合金的硬度和耐磨性。

    参考来源 - 铜合金离子注入层的组织结构及摩擦特性
  • 离子束注入
  • 离子掺杂 - 引用次数:4

    And we obtained the higher luminous intensity borate system. In the end, we have carried on the computation to the ion implantation density.

    通过调整基质玻璃组分和掺杂稀土离子的含量,得到了较好的制备工艺参数,并对其进行了多方面的测试和表征,得到了较高发光强度的硼酸盐体系发光玻璃,对离子掺杂浓度进行了计算。

    参考来源 - 稀土掺杂硼酸盐体系发光玻璃的制备及发光性能研究
  • 离子植入
  • 离子注入
    离子植入
  • 离子注入
  • 离子注入技术

·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress

Ion implantation

  • abstract: LAAS technological facility in Toulouse, France.]]

以上来源于: WordNet

 柯林斯英汉双解大词典 

ion implantation

  • 1. 

    N a technique used in the manufacture of semiconductor devices in which impurities are implanted by means of beams of electrically accelerated ions 离子注入法

双语例句

  • The ion-implantation damage defects and thermal stress during quenching step are responsible for the formation of dislocations.

    形成离子注入引进的损伤淬火过程中的应力有关。

    youdao

  • Coating by physical vapour deposition (PVD), coating by chemical vapour deposition (CVD) and surface layer modification by ion implantation, all three are being tested and are partly in use.

    涂层化学沉积(CVD)表面层改性物理气相沉积(PVD)涂层的离子注入所有三个正在受到考验,并部分使用。

    youdao

  • Because the lithium drifting detector has the noise in a big way, unstable and so on the weakness, we have used the ion implantation PIN detector on the new generation of instrument.

    由于漂移型探测器噪声不稳定弱点我们仪器采用离子注入型pin探测器。

    youdao

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