采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si_3N_4和SiO_2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD)的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移 ..
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光集成中等离子诱导与无杂质空位量子阱混杂技术的研究--《吉林大学》2009年博士论文 点 16-17 1.5 论文纲要 17-18 第2章 量子阱混杂类型 18-25 2.1 无杂质空位扩散(impurity-free vacancy disordering,IFVD) 18-20 2.2 杂质诱导扩散(impurity induced disordering,I
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