[摘要提示] 英特尔公司日前宣布该公司研究人员已发现新型高k栅极电介质(high-k gate dielectrics)和金属栅极材料。并已利用该新型材料开发出高性能晶体管。
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高k栅介质
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参考来源 - 纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
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