在先栅方案中，用Al基(PMOS)和La基(NMOS)覆盖层来调整氧化铪(HfO2)和硅酸铪(HfSiOx)高k和氮化钛(TiN)金属栅的Vt。在替代栅方案中，根据其功函数对几种材料进行筛选。
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该制程将被用于开发65奈米金属闸制造制程，以配合目前制程中采用的矽化铪(HfSiOx)高介电常数闸绝缘体。该项经认证合格的制程细节及制程中选用的闸金属并未被披露。
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