晶体管(High Electron Mobility Transistor)
...频率或响应时间不 断提高． 目前，异质结双极晶体管（HBTs ）的截止频率已超过150 GHz [1] ， 高电子迁移率场效应晶体管（HEMTs）的截止频率超过300 GHz [2-4] ，甚至 有报道称某器件外推的最大振荡频率达到600 GHz [5] ． 调制掺杂场效应晶体 管（MODFETs）的...
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而基于InP基的InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(high-electron-mobility transistors,HEMTs)与AlGaAs/GaAs高迁移率晶体管相比,具有良好的高频、低噪声特性[8,9].
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