99年版预测DRAM半栅长(λ)加工节点(half pitch process node)2005年达100nm，2008年70nm，2011年50nm。新版加速调整为2004年即突进90nm，2007年65nm，2010年45nm，2013年32nm，2016年22nm。
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half pitch process node
半节距工艺节点
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