...尺度器件, 由于高 K/金属栅的使用以及多栅结构的引入, 需要开发与 之兼容的应力引入技术, 在文献 [9] 中报道了使用碲化锗 (GeTe) 作为应力覆盖层的适于 FINFET 器 件的应力技术.
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熔炼法制备了(GeTe)85(AgSbTe2)15(简称TAGS-85)基热电材料,通过改变球磨过程中的保护气氛(空气、氩气和液氮),研究了球磨气氛对材料热电性能的影响。
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Gete Wami 进入洞房
Gete Wami was sent to 被送入洞房
zero-level gete 或非门
flat gete 扁形进模口
gete river 热特河
gete film gete薄膜
JeHeH c geTe 呢称
gete transfection 基因转染
Greek Gete ideal 希腊哥特理想
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