...护能力的方法,即是在标准的0.18微米制程中,增加一道PESD的离子布植(Boron Implant)于闸极接地之NMOS保护元件(Gate Grounded NMOS)的汲极端,其 ..
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Gate Grounded-NMOS 闸极接地
gate grounded nmos
栅极接地nmos
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Based on simulation, the characteristics and mechanisms of failure on a deep sub-micron grounded-gate NMOS (GGNMOS) are studied under TLP (transmission line pulse) stress.
对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米ggnmos器件的特性和失效机理进行了仿真研究。
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