... 栅极重叠：gate overlap 栅极-源极电压：gate-to-source voltage 栅极引线：gate connection ...
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其中，VDS 为漏源电压（drain-to-source voltage），VGS 为栅源电压（gate-to-source voltage）。将这些式子结合起来，可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数：
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forward gate-to-source breakdown voltage 正向栅源击穿电压
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Therefore, Q1 must withstand a gate-to-source voltage higher than this value.
因此，Q 1必须经受门源极电压高于这个值。
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