本文研究的主要内容为稀磁半导体(GaMn)N薄膜的光学性质。稀磁半导体近年来凭借其在理论研究和实际应用的潜在用途正日益激起人们的兴趣,而(GaMn)N是最有前景的稀磁半导体...
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最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(GaMn)As居里温度进步到200K的研究成果，此项 工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊挪厶授研究组合...
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