...相化合物如砷化镓(galliumarsenide)及磷化铟(indium phosphide)、三元相化合物如镉汞碲(CdHgTe)、镓铝砷(GaAlAs)及镓铟磷(GaInP)、四元相化合物如镓铟砷磷(GaInAsP)，其他欲进行蚀刻、清洗及/或研磨制程处理的基底材料包括不锈钢、石英、铝、锗、镓及硒。
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...层(N + -ohmic contact layer),不管是上电池磷化铟镓或是中电池砷化镓都具有 能隙较大的材料如磷化铟铝(AlInP)、磷化铟镓(GaInP)的窗口层(Window layer) 和背向重掺杂电场(back surface field)减少少数载子的复合;中间为二极体接 面(P-N junction)的吸收反应层...
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在一些实施例中，半导体晶圆5由诸如硅锗(SiGe)、碳化硅锗(SiGeC)、磷砷化镓(GaAsP)或磷化镓铟(GaInP)的合金半导体制成。在一些实施例中，半导体晶圆5包括外延层。
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