...，采用InP基的InGaAsPVCSEL的进展一直不理想．最近，对开拓1 310 nm带隙新材料的愿望使科学家们赋予传统合金镓铟氮砷（GaInNAs）一种新的应用，即制作VCSEL．GaAs基的GaInNAs是一种极有前途的长波长通信用新材料．GaInNAs／GaAs有着非常好的电子限制，导带差大...
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GaInNAs quantum wells RCE光探测器
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