...rence Only）” 选项前边打勾（要是不是刷版本，是刷个性化文件，不用勾选此项），其他选项稳定，“字库擦写次数（Flash Erase）”应为1，“操作标准样式（Operation Passes）”应为Default。
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erase flash ROMMON模式 ; 一些危险性的命令
erase main memory flash failed 擦除主存储器闪存失败 ; 闪存的擦除主内存失败 ; 消除主要闪光记忆失败
Considering that flash devices have a limited erase lifecycle (about 100,000 erases) after which they can't be used, this is not a particularly good practice.
考虑到闪存设备具有有限的擦除寿命(大约能进行100,000次擦除)，在此之后就不能使用它们，所以这不是一个特别好的方法。
All they really need to provide is a set of simple routines for read, write and erase operations on the underlying flash system.
所有它们真正需要提供的就是一组对底层闪存系统进行read、write和erase操作的简单例程。
NAND flash offers higher capacities with significantly faster write and erase performance.
NAND flash提供更大容量的同时实现快速的写擦性能。
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