利用高介电系数介电层，可以使得物理厚度为原来二氧化矽 的数倍，却拥有相同的等效氧化层厚度（Equivalent Oxide Thickness， EOT），所以能使直接穿透闸极的漏电流变小并且维持一定的驱动电 流。
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...电常数/金属闸极 取代性的闸极整合方案，将因较狭窄的闸极长度而面临挑战；为缩减等效氧化层厚度(equivalent oxide thickness，EOT)，将会需要用到氧化锆(Zirconium oxide)。
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《半导体科技》 ）； 在体硅和绝缘体上硅SOI相结合的衬底上，采用高k值介质代替SiOx栅介质。在保持与SiOx相同等效氧化层厚度（EOT, equivalent oxide thickness）的前提下，高k值薄膜具有更低的漏电流。此外，SOI衬底的采用还减弱了短沟道效应； 从二维平面晶体
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...用高介电常数之绝缘层是一个有效降低闸极漏电流的方法，因为高介电常数之绝缘层有较厚的等效 厚度 ( equivalent oxide thickness )，进而减少直接穿隧电流。
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以上来源于: WordNet
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