外延(epitaxy) 气相外延（vpe）：硅的主要外延工艺； 液相外延（lpe）：ⅲ-ⅴ化合物的外延； 固相外延（spe）：离子注入退火过程； 分子束外延...
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Molecular Beam Epitaxy 分子束外延 ; 分子束磊晶 ; 晶成长 ; 分子束磊晶法
liquid phase epitaxy 液相外延 ; 液相取向附生 ; 液相磊晶
vapor phase epitaxy 汽相外延 ; 气相磊晶法 ; 相外延 ; 气相外延生长
local epitaxy 局部外延
vapor growth epitaxy 汽相外延生长
double epitaxy 双外延工艺
solid phase epitaxy [物化] 固相外延 ; 本文采用固相外延技术
graphio epitaxy 制图 ; 制图外延法
Sapphire is the most commonly used substrate for the GaN epitaxy.
目前，蓝宝石是GaN异质外延最常用的衬底材料。
参考来源 - 硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究In the work,the physical properties of ZnO and various growth techniques of ZnO thin film,such as Pulsed Laser Deposition,Magnetron Sputtering,Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,Sol-Gel,Spray Pyrolysis,Molecular Beam Epitaxy,Atomic Layer Epitaxy,are introduced in detail.
给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。
参考来源 - ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究Epitaxy of ZnO nanocrystals was prepared by homogeneous precipitation using urea and zinc nitrate as the starting materials.
本文以硝酸锌、尿素为原材料，用均匀沉淀法制备了取向连生的氧化锌纳米晶粒。
参考来源 - 氧化锌纳米晶取向连生·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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N the growth of a thin layer on the surface of a crystal so that the layer has the same structure as the underlying crystal 外延
The higher value is comparable to those obtained in CVD epitaxy.
这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。
Epitaxial deposition is then used to form an epitaxial layer on the epitaxy surface.
外延沉积接着用以形成一外延层于该外延表面上。
Firstly, the theory and fabrication of molecular beam epitaxy are described in detail.
本文首先详细介绍了分子束外延设备的原理和构造。
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