意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟槽式场截止（trench-gate field-stop）技术为特色，可最大幅度地降低电压过冲，消除关机期间常出现的振荡现象，有效提升太阳能逆变器、焊接设备、不断电系统与工业马达...
基于16个网页-相关网页
采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，M系列IGBT有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的P-N-P垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平...
基于6个网页-相关网页