...、Globalfoundries、Samsung、ST与Toshiba)都面临包括散热不稳定(thermal instability)、阈值电压飘移(threshold voltage shifts)，以及闸堆叠重新生长(re-growth in the gate stack)等等问题，这对微缩电氧化层厚度的pMOS元件来说是很严重的。Lu表示。
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