...存储器(PoRAM)、抗变化存储器(ReRAM)、隧道墙壁能量纳米浮闸存贮器(TBE-NFGM)、强流转效果存储器(FFM)、垂直磁化存储器(STT-MRAM)和CRAM领域。
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...成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，最近，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件（STT-MRAM），达到国际领先水平。此项技术应用后，电脑死机也会保留所有数据，手机待机时间也有望大幅提高。
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...随机存储器芯片器件 近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。
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东芝日前发表智能手机与平板移动处理器(Mobile Processor)专用的非挥发性磁电阻式随机存取内存(STT-MRAM)最新研发成果，耗电量只有现在使用SRAM内存的处理器1/3。
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