strain-induced mobility enhancement
很多技术已经令CMOS器件性能得到了相当可观的提升，其中包括应变感应迁移率增强（strain-induced mobility enhancement） 、 （表1） 使用不常见晶体定向硅（silicon in unusual crystalorientations）（图4）以及通过新的器件结构来改进器件的静电属性...
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strain-induced mobility enhancement
应变诱导的移动性增强
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