此项研究在高长宽比的相变化内存单元中实现了均匀沉积,与组件结构可对比的、采用溅镀沉积(sputter-deposited)技术之GST 225相比,显示出了良好的电学特性。
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sputter-deposited titanium 溅射沉积钛
sputter deposited thin film 溅射薄膜
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