进入八十年月，许多人吸收了半导体物理成长的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性布局，引进了折射率调制Bragg发射器以及增夸大制Bragg发射器最新技术，同时还成长了MBE、MOCVD及CBE等结晶体生长技术新工...
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光通信的关键器件——光源已取得很大进展。不仅第三代高速宽带的应变层量子阱（SL-QW）激光二极管（LD）、垂直腔面发射激光器（VCSELLD）和光纤激光器（FL）已获得重大进展。
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进进八十年代，人们接收了半导体物理成少的最新，采用了量女阱(QW)和当变量女阱(SL-QW)等新鲜性布局，引进了合射率调制Bragg收射器以及减强调制Bragg收射器最新手艺，同时还成少了MBE、MOCVD及CBE等晶体收展手艺新工艺...
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InGaAsö InGaAsP SL -M QW 浅离子注入
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