双极型晶体管受发射极正 偏（emitter debiasing）、热梯度（thermalrunaway）以及二次击穿（secondary breakdown）的影响，尤其是工作在正向有源区的功率管，其Vee、Ic较大，必 须增加面积以提高散热性能，尽管如此一般管子的极限电流密度以及功...
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该STFOD 组件可以安全地操作在这个骤迥崩溃区, 只要静电放电电流不超过该STFOD 组 件的二次崩溃(secondary breakdown)临界点。二次崩溃临界点是该STFOD 组件承受ESD 电流的极限。
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...在较脆弱的地方产生，由于此中破坏经常是伴随着接面短路或 是氧化层短路之后发生，故属于所谓的二次崩溃（Secondary Breakdown）。其现象为断路。
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Secondary Breakdown Point 元件之二次崩溃点
secondary breakdown current 二次击穿电流
Reverse-Bias Secondary Breakdown 逆向偏压的二次崩溃
secondary breakdown tester [电子] 二次击穿测试仪
secondary breakdown effect 二次击穿效应
the secondary breakdown region 二次击穿区
Forward-Bias Secondary Breakdown 顺向偏压的二次崩溃
BIPOLAR TRANSISTOR SECONDARY BREAKDOWN CONSIDERATIONS 双极式电晶体二次崩溃的考虑
Ignoring secondary breakdown can be costly.
忽视次级的详细划分的代价会很大。
The main device failure mode is secondary breakdown.
器件的主要失效模式是二次击穿。
VDMOS is widely adopted in PDP driver , the damage resulted by secondary breakdown effect can't be ignored .
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。
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