一种静电保护电路 本实用新型提供一种静电保护电路，包括与静电点连接的至少一个N型场效应管(NMOS)，其中，还包括串联连接的电阻和电容，所述电容剩下的一端与静电点连接，所述电阻剩下的一端与地连接；所述NMOS的漏极与静电点连...
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当进位信号的进位位是“1”时，N型金属氧化物半导体(NMOS)开关器件210被使能(被短路)，而由反相器214引起的反相则禁用(开路)NMOS开关器件212，由此提供高电压(VCC)作为PDM输出信号。
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...相连接。对于某些方面，第三晶体管的漏极可以与电流源以及第一晶体管的栅极相连接，第三晶体管的源极可以与第一晶体管的漏极相连接，并且第一晶体管的源极可以与用于经调节电压的节点相连接。对于某些方面，第四晶体管的漏极可以与第二电源电平相连接，第四晶体管的源极可以与第二晶体管的漏极相连接，并且第二晶体管的源极可以与用于经调节电压的节点相连接。对于某些方面，第一、第二、第三和第四晶体管是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管。根据某些方面，参考电流与通过主支路的支路电流组成在用于经调节电压的节点处可获得的调节器电流，并且调节器电流...
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栅极接地NMOS GGNMOS
栅接地NMOS GGNMOS
NMOS or NPN 功率器件
伪NMOS Pseudo-NMOS
nmos n 沟道金属氧化物半导体
NMOS场效应晶体管 NMOSFET
nmos device nmos器件
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Integrated circuit. NMOS, asynchronous communications interface adapter.
集成电路。NMOS管，异步通信接口适配器。
The substrate-triggered technique has an obvious improve on ESD level of the large-dimension NMOS devices.
衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。
The high precision resistor is composed of three NMOS FETs with controllable gate voltage and aspect ratios.
通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。
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