monolithic broadband ingan light-emittingdiode
在最近发布于《ACS Photonics》期刊中的「宽频InGaN LED单芯片（Monolithic Broadband InGaN Light-EmitTIngDiode）一文中，研究人员发表可在蓝宝石基板生长高铟含量氮化铟镓型氮化镓（InGaN-GaN）量子阱（QW）结构的结果。
基于4个网页-相关网页
monolithic broadband ingan light-emittingdiode
单片宽带发光二极管
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。