IGBT在CINRAD/SC天气雷达中的应用分析--《现代农业科技》2010年13期 d Gate Bipolar Transistor,IGBT)是20世纪80年代出现的新型复合器件,它集金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide SemiconductorField Effect Transistor,MOSFET)和双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor,BJT)的优点于一体。其响应
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metallic-oxide semiconductor field-effecttransistor 金属氧化半导体场效应晶体管
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