在接近分辨率极限时，光学光刻技术的光罩错误因子(mask error factor，MEF)将会变得非常大。例如在65纳米技术节点时，其光罩错误因子估计会变成3.5。
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事实上，掩模版误差因子（mask error factor，MEF） 的较大数值需要在掩模版层次的更加 严格的控制，因此，需要开发更加精确的计量技术。
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掩模误差因子
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mask error enhancement factor 掩模误差增强因子
mask error factor
掩模误差系数
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