其擦写次数高于现有的Flash存储器，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技能的固态存储介质，很是适实用作硬件傍边的根基输进出体系(BIOS)。应承行使者以紫外线消除个中的措施一再行使。
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MTJ Magnetic Tunnel Junction 磁性隧道连接
The memory element includes a magnetic tunnel junction (MTJ) element and an electrode.
存储器组件包括一磁穿隧接 面（MTJ）组件与一电极。
A magnetic random access memory device may include a semiconductor substrate, a magnetic tunnel junction (MTJ) structure, a contact plug, and a digit line.
提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。
More particularly, the MTJ structure may be on the semiconductor substrate, and the digit line may be adjacent the magnetic tunnel junction structure.
更具体，MT J结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。
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