...米甚至纳米级的CMOS制造工艺中，为使半导体器件能符合各种 各样的应用，器件中的掺杂剖面(Doping Profile)和结深(Junction Depth)都有 了许多的改变，然而这些工艺参数都会影响到器件对静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)的防护耐受度。
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4.4.3 P-ring 離子植入能量强度(implant energy) 关于 P-ring 的接面深度(junction depth)与浓度分布(concentration distribution)，主要由離子布植的能量所决定。
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controlled junction depth 受控结深度
source-drain junction depth 源漏结深
controlled d junction depth 受控结深度
junction n depth 结深度 ; 连结深度
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Test the junction depth and doping concentrations.
检测扩散结深和掺杂浓度。
The effect factors such as the buried channel junction depth and substrate doping concentration on the CCD's optimum operating point and maximum charge capacity are analysed.
分析计算了埋沟结深、衬底掺杂等对CCD最佳工作点及最大电荷处理量的影响。
Theoretic analysis results show that the doping concentration and junction depth are main factors for the range of spectrum response of Si color sensor with double PN junction.
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。
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