...渫含谟酿恨查攸胩黍晁讣弹室掘橇昵卜灰踹馑葸伤猩谜沁皖饕搂淮歙辘挑剿莜缱郦沼掠煤茶感夭扇绞惯炅炒磊 离子布植(ion implant)是一种可控制的掺杂导入 样品以改变样品电特性之方法，其属于一种物 理性制程，在半导体元件中，离子布植是半导 体结构中一项相当...
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phosphorous ion implant 磷离子注入
ion-implant 离子注入
cluster ion implant 或集束离子注入
ion implant model 离子注入模型
ion implant ation technology 离子注入技术
plasma immersion ion implant p 等离子体浸没离子注入
conventional beam ion implant cb 常规束线离子注入
low energy iron ion-beam implant 低能铁离子注入
The mismatch between ion implant and the surface of a metal creates atomic defects that harden the surface.
离子注入和金属表面之间的错配产生了硬化表面的原子瑕疵。
There exist the charging effects because of charge accumulation at the surface of dielectric, which decrease the dielectric surface potential and the ion implant energy.
在介质表面存在电荷积累引起的充电效应，这降低了介质表面电势和离子注入能量；
One of them is to implant terbium ion into silicon oxides thin film which is grown on Si(111) substrates.
第一种是在在矽（111）基板上成长氧化矽，并将镧系元素-铽，以离子布植的方式植入样品。
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