ieee international electron devices meeting
在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会(2004 IEEE International Electron Devices Meeting,2004 IEDM)”上做了技术发表(演讲序号为21.1)。
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ieee international electron devices meeting
Ieee国际电子器件会议
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At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过, 令人 感到意外的是,在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上,三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。
youdao
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