这些低能电子（＜IkeV）可以在组织局部 形成高度能量沉积（HILED，highly localized energydeposition），每次 衰变后能量沉积可达到106-109cGy，可以使与其相邻的10nrfl范围内的 6 哺IUd...
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highly localized energydeposition
高度局域能量沉积
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