...例如﹕SrTiO 3 、TiO 2 、 V 2 O 5 、MgO、ZnO 等，由于具有高介电率与 介电之特性，故一般被认为便是下个世代 (Giga-bit scale) RRAM的重要关键材料[1-8]。
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giga-bit scale
giga-bit规模
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