影响，必须使氧化层 厚度 ( Gate Oxide Thickness )也越做越薄，当氧化 层 厚度 做到 4 nm 甚至更薄时，材料方面的物理极限限制会变成一种
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thickness of gate oxide 栅氧厚度
gate oxide thickness
栅氧化层厚度
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However, when oxide thickness increased to a fixed value at a specific oxide field, the increase in gate leakage current caused by a single oxygen vacancy could be neglected.
但当厚度在特定值及特定电场下时，单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。
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