1T-SRAM-Q的工作原理是，通过将门氧化物电容(gate oxide capacitor)沿晶体管侧壁折叠，使其占用较少的平面空间，同时不对金属层或逻辑晶体管造成破坏或影响。
基于12个网页-相关网页
gate oxide capacitor
栅氧化电容器
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动