本实验是以制作并量测单一根氮化镓的 奈米线 （ GaN nanowire ）样品之电性传导及元件特性为主，不同的是使用了高掺杂的矽基板作为基底，以期能作为背向闸极（back-gate）的功能，上层部分以二...
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gan nanowire
氮化镓纳米线
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