GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）就是以GaN 基制造出来的,利用高电子迁移率和高
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3.2 氮化镓高迁移率晶体管（GaN HEMT） 因为两维电子气的特性，氮化镓 HEMT 器件广泛应用在功率开关器件和射频功率器 件方面。
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v gan hemt 开关特性和封装研究
GaN-based HEMT 氮化镓基高电子迁移率晶体管
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Fujitsu points out that using GaN HEMT technology allows more than 6 times the output power of existing amplifiers using gallium-arsenide (GaAs) transistors.
富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
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