GaAs 高电子迁移率晶体管(GaAs HEMT)结构独特，且具有高功率增益、高效率、低功耗等特点，其工艺和GaAs 金属半导体场效应晶体管（MESFET）兼容， 因此，HEMT器件将逐...
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This paper focuses on the modeling of the passive silicon-chip spiral inductors and active GaAs HEMT, and obtains some new results and new modeling method.
本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有源器件砷化镓高电子迁移率晶体管进行了相关的研究，得到了一些新的结果和新的建模方法。
Fujitsu points out that using GaN HEMT technology allows more than 6 times the output power of existing amplifiers using gallium-arsenide (GaAs) transistors.
富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
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